Warning: mysqli_real_connect(): Headers and client library minor version mismatch. Headers:100512 Library:30208 in /home/docs/domains/doc.iran-micro.com/public_html/wp-includes/wp-db.php on line 1753
 شبیه سازی ترانزیستورهای HFET یک کاناله و دو کاناله براساس InGaP/InGaAs/GaAs با اعمال اثرات کوانتومی - مرکز دانلود ایران میکرو

شبیه سازی ترانزیستورهای HFET یک کاناله و دو کاناله براساس InGaP/InGaAs/GaAs با اعمال اثرات کوانتومی

دراین مقاله ترانزیستور اثر میدان یک کاناله و دوکاناله با استفاده از پیوند ناهمگن HEET براساس InGaP/InGaAs/GaAs شبیه سازی شده است هدف از این بررسی تونل زدن بین دو کانال و اثر آن برمشخصه ترانزیستور بوده است در شبیه سازی این ترانزیستور ها لازم است اثر غیرمحلی پتانسیل بر الکترون درن ظر گرفته شود دراین مقاله اثر غیرمحلی پتانسیل بصورت یک تصحیح کوانتومی در معادلات درنظر گرفته شده است نتایج شبیه سازی همخوانی خوبی با نتایج آزمایش دارد برای ساختار یک کاناله هم شبیه سازی انجام گرفته و نتایج آن با حالت دو کاناله مقایسه شده است که نشان دهنده بهبود مشخصه های ساختار دوکاناله نسبت به یک کاناله است.

 

رحیم فائز – دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی شریف تهران
احسان عطایی پور – دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
عقیل باجلان – دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.