صفحه اصلی
فروشگاه ایران میکرو
وب سایت جامع الکترونیک
شبیه سازی ترانزیستورهای HFET یک کاناله و دو کاناله براساس InGaP/InGaAs/GaAs با اعمال اثرات کوانتومی
In / by
ایران میکرو
/ on بهمن 30, 1394 / بدون دیدگاه
دراین مقاله ترانزیستور اثر میدان یک کاناله و دوکاناله با...
read more