ارائه يک مدل اصلاح شده سيگنال بزرگ براي ترانزيستورهای SGMESFET

آناليـز شـبکه هـاي غير خطي مايکرويو يکي از زمينههاي فعال تحقيقـاتي در سـالهاي اخير است. در اين راستا لازم است براي عناصر غير خطـي مـورد اسـتفاده، مـدل مناسـبي جايگـزين شـود. در زميـنه مدلسازي سـيگنال بزرگ ترانزيستورهاي ،SGMESFET1تحقيقات قابل توجه ای انجـام شـده و مدلهـاي سـيگنال بزرگ متفاوتي براي اين عنصر ارائه شده اسـت. در اين مقاله با بررسي نقاط ضعف و قوت چند مدل پيشرفته از اين مدلهـا،يک مـدل سـيگنال بـزرگ اصـلاح شده ارائه مي شود. دقت تطبيق مـدل پيشنهادي روي مشخصه هاي واقعي عنصر با چند مدل با ساختارهاي مـتفاوت مقايسه شده و نتايج آن بصورت جدول و نمودار آمده است، که ايـن نـتايج برتـري مـدل پيشـنهادي را تـاييد مـيکـند. بـراي بهيـنه سازي پارامترهاي مدل، از الگوريتم وراثتي استفاده شده است.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *