کتاب ترانزیستور های اثر میدانی ارگانیک OFET (زبان اصلی)

امروزه با پیشرفت در تکنولوژی CMOS تمایل بی سابقه به کوچک کردن ترانزیستور ها، موجب شده است مهندسین و محققان که بتوانند ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون را به کمتر از دو نانومتر برسانند . اما این تکنولوژی ، مشکلاتی مانند افزایش تونل زنی کوانتومی ، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک را به همراه داشته است .امروزه مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی _ غیرآلی که شامل اکسید های فلزی هستند ، به علت جریان نشتی پایین و ثابت دی الکتریک بالا توانسته اند جایگزین مناسبی برای گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی باشند . اخیرا مطالعات و تحقیقات کثیری درباره لایه های نانوساختار سیلیکونی صورت گرفته است .

کتاب پیش رو به برسی یکی از این راه حل ها به نام ترانزیستور های اثر میدانی ارگانیک Organic FET پرداخته است .

نام انگلیسی : Organic Field Effect Transistors
نویسنده : Zhenan Bao – Jason Locklin
انتشارات : CRC Press

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.