مدلسازي مشخصه ي جريان-ولتاژ در ترانزيستورهاي SOI-MOSFET توسط شبكه هاي عصبي

دراين مقاله روش مدلسازي مشخصهي I-Vبراي SOI-MOSFET ها توسط شبكه عصبي ارائه مي شود.اين مدلسازي سريع و دقيق است و براي نرم افزارهاي شبيه سازي مدارها مناسب ميباشد. در اين روش، دو معماري از شبكه عصبي بكار گرفته شده و با هم مقايسه خواهند شد كه عبارتند از (MLP )يا پرسپترون چند لايه و ( GRBF)يا تابع شعاع مدار تعميم يافته. براي افزايش كارايي آموزش به شبكه ي عصبي از يك شيوه ي پيمانهاي استفاده شده است. مشخصهي جريان درين حاصل از مدل شبكهي عصبي با نتايج تجربي مقايسه شده است؛ كه تطبيق بسيار خوبي را نشان مي دهد و خطاي نسبي آن براي طيف وسيعي ازطول كانالها، ولتاژ هاي درين و گيت كمتر از  كمتر از %1/1است .

 

محمد اسكندري مكوند، حميد تولّي و علي عباسيان

آزمايشگاه طراحي مدارهاي مجتمع بسيار فشرده، دانشكدة مهندسي برق و كامپيوتر، دانشگاه صنعتي جندي شاپور

 

 

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.