راهنمای طراحی درایور ماسفت های کانال P

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ هادی – اکسید – فلز به انگلیسی Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است . این گونه از ترانزیستور اثر میدانی نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد . در آن هنگام ، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان ، با دشواری همراه بود و از همین روی ، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک دور ماندند . در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م ، بارِ دیگر نگاه‌ ها به MOSFET ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند .

این ترانزیستور ها دارای گونه های متفاوتی هستند که در کاربرد های متفاوت از آن ها استفاده می شود . برای مثال نوع Power MOS گونه ای از ترانزیستور های ماسفت است که توانایی تحمل جریان ها و ولتاژ های بالا را دارد که می توان از آن در طراحی مدارات الکترونیک قدرت استفاده نمود .

همچنین این ترانزیستور ها دارای دو مدل متفاوت از لحاظ نوع کانال هدایت می باشند که به دو صورت کانال N و کانال P نام گذاری شده اند . نوع اول که به کانال N مشهور است ، بسیار بیشتر از نوع کانال P مورد استفاده قرار می گیرد . اما در برخی کاربرد ها مانند طراحی Upper Switch طراح ناچار به استفاده از چنین ترانزیستور هایی می شود و به طور معمول اولین مشکل بر سر طراحی درایور برای چنین ترانزیستوری است که این راهنمای کاربردی به شما کمک می کند تا بتوانید یک درایور مناسب برای فرایند کلید زنی با ترانزیستور ماسفت کانال P طراحی نمایید .

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.