ترانزيستورهاي تونلي بر اساس اكسيد تيتانيوم برروي ويفر سيليكان

در اين مقاله ترانزيستورهاي تونلي بر اساس تركيب مناسبي از اكسيد تيتانيوم و سيليسايد نيكل برروي ويفر سيليكان 100با موفقيت ساخته شده و نتايج مربـوط بـه خـواص الكتريكـي- فيزيكي اين ادوات بررسـي مـي گردنـد. در ايـن ادوات لايـه اكسيد تيتانيوم بعنوان سدي در مقابل تونل زني از لايـه بـالايي به لايه سيليسايد مياني عمل كرده كه با اعمـال ولتـاژ مناسـب پديده تونل زني اتفاق افتاده و جريـان الكتريكـي حـادث مـي گردد. اين ساختار همانند ترانزيستورهاي دو قطبي عمل كـرده و از سه ناحيه اميتر – بيس و كلكتور تشكيل شده كه هـر سـه لايه توسط اكسيد تيتانيوم از هم جدا شده اند. لايه نشاني كليه نواحي اين ترانزيستورها توسـط تكنيـك پـراكنش و بصـورت پشت سر هم انجام شده است و با انتخاب ضخامتهاي مناسب  ضريب تقويت جريان برابر با 12بدست آمده است

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.