ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو لوله كربن

با توجه به افزايش روز افزون نياز به تراشه هايي با ابعاد كوچك تر ، استفاده از فناوري هاي جديد در ساخت ترانزيستورها به عنوان جزء اصلي تراشه ها ضروري به نظر مي رسد . نانو تكنولوژي و الكترونيك مولكولي روشي نوين براي ساخت ترانزيستورها در ابعاد كوچك است . در اين مقاله ابتدا ساختار الكتروني ، خصوصيات مكانيكي و الكتريكي و همچنين روش هاي ساخت نانو لوله هاي كربن بررسي مي شود. سپس ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو لوله كربن به لحاظ ساختار هندسي ، روش هاي ساخت و پياده سازي و همچنين نحوه عملكرد مورد بحث قرار مي گيرند . در ادامه ويژگي هاي آن ها با خصوصيات ترانزيستورهاي اثر ميدان سيليكوني كنوني مقايسه مي شود . هر چند ساخت اين ترانزيستورها هنوز در مراحل ابتدايي است اما با توجه به مزاياي آن ها در سال هاي آينده شاهد پيشرفت هاي چشمگيري در
اين فناوري خواهيم بود .

 

محمد فرداد
دانشگاه گيلان

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.