آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیلی ناشیاز افزایش ولتاژ درین در ترانزیستور های اثر میدان فلز-نیمه هادی کربید سیلیسیم

در این مقاله کاهش سد پتانسیل کانال ناشی از افزایش ولتاژ درین و وابستکی آن به چگالی ناخالصی های کانال در ترانزیستور های اثر میدان فلز-نیمه هادی کربید سیلیسیوم آنالیز و شبیه سازی شده نتایج نشان میدهد که با اعمال ولتاژ بالا به درین به ویژه در ماسفت های کربید سیلیسیمی که نسبت طول گیت  به ضخامت کانال آن کوچکتر از 3 است ولتاژ آستانه به شدت افزایش میابد…

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *


Warning: count(): Parameter must be an array or an object that implements Countable in /home/docs/domains/doc.iran-micro.com/public_html/wp-content/plugins/download-manager/wpdm-functions.php on line 1863