در این مقاله کاهش سد پتانسیل کانال ناشی از افزایش ولتاژ درین و وابستکی آن به چگالی ناخالصی های کانال در ترانزیستور های اثر میدان فلز-نیمه هادی کربید سیلیسیوم آنالیز و شبیه سازی شده نتایج نشان میدهد که با اعمال ولتاژ بالا به درین به ویژه در ماسفت های کربید سیلیسیمی که نسبت طول گیت به ضخامت کانال آن کوچکتر از 3 است ولتاژ آستانه به شدت افزایش میابد…
