مقاله طراحی مدار درایور رزونانسی گیت MOSFET ها (زبان اصلی)

با پیشرفت تکنولوژی و تولید قطعات الکترونیکی قدرت مانند Power MOSFET ، GTO ، Power BTJ ، Thyristor و … بسیاری از تولید کننده های مدارات الکترونیکی به سوی الکترونیک قدرت روی آوردند که شامل مدارات کنترل و تغذیه الکترونیکی با ولتاژ ها و جریان های بسیار بالا می شود . از کاربرد های الکترونیک قدرت می توان به منابع تغذیه DC و AC ، کنترل کننده های موتور و ماشین های الکتریکی ، رله های حالت جامد و اتوماسیون خودرو اشاره کرد . در تمامی کاربرد های ذکر شده از المان های قدرت به عنوان عنصر سوئیچ استفاده می شود که به واسطه یک مدار راه انداز و درایور به یک مدار کنترل دیجیتال یا آنالوگ متصل می شود .

طراحی این مدار کنترل و درایور خود نیازمند دانش و تجربه بسیار بالایی در زمینه الکترونیک قدرت است که در صورت طراحی اشتباه ، سوختن قطعه گران قیمیت سوئیچ و بار مصرفی را به دنبال دارد . برای همین کتاب ها و مقالات بسیاری در این زمینه نوشته شده که هر کدام روش و مدار خاصی را برای این کار معرفی می کنند . یکی از معروف ترین درایور ها که بیشتر در ترانزیستور های MOSFET مورد استفاده قرار می گیرد ، درایو گیت به کمک درایور رزونانسی است و از لحاظ تلفات توان نسبت به بسیاری از روش های قدیمی بهتر است .

مقاله پیش رو به برسی قطعات الکترونیک قدرت ، میزان تلفات و مشخصات آن ها و طراحی درایور گیت به روش درایو رزونانسی است که می توانید آن را از این سایت دانلود نمایید .

نام انگلیسی : Resonant Gate Drive Techniques for Power MOSFETs
نویسنده : Yuhui Chen
دانشگاه : Virginia Polytechnic Institute and State University

پاسخی بگذارید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *