کتاب ترانزیستور های دوقطبی Heterojunction ژرمانیوم و سیلیکون (زبان اصلی)

Heterojunction Bipolar Transistor که به اختصار به آن HBT گفته میشود ، نوعی ترانزیستور دوقطبی است که در ساخت آن به خصوص در نواحی امیتر و بیس ، از مواد نیمه هادی مختلفی استفاده می شود که باعث می شود تا ترانزیستور بتواند در فرکانس های بالا در حدود چند صد گیگا هرتز فعالیت کند . این تکنیک در ساخت مدارات بسیار سریع ، بسیاری از سیستم های RF و کاربرد هایی که نیاز به تقویت کننده توان با راندمان بالا است ، استفاده می شود .

کتاب پیش رو به برسی این ترانزیستور ها پرداخته و ساختار ، روش ساخت و کاربرد آن را معرفی می کند .

نام انگلیسی : Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors
نویسنده : John D. Cressler – Guofu Niu
ناشر : Artech House