مدل اصلاح شده توان آلفا براي ترانزيستورهاي MOS

در اين مقاله تغييري در مدل توان آلفا اعمال مي كنيم که ضمن افزايش دقت مدل توان آلفا در ناحيه اهميک، با وارد کردن آثار کانال کوتاه در مدل، آن را براي استفاده در فن آوري هاي زير ميكرون مناسب مي سازد. اين مدل بسته، براي جريان درين افزاره ارائه شده است که در فن آوري هاي زير ميکروني از دقت بالاتري نسبت به برخي مدلهاي متداول [ ۱] برخوردار است. علاوه بر آن اين مدل داراي قابليت كاهش مقياس ١ مي باشد و نسبت به مدل هاي [ ۲و ۳] ساده تر است. به منظور بررسي ميزان دقت مدل ارائه شده نتايج را با نتايج استخراج مقايسه مي کنيم. به عنوان نمونه در مدل ارائه hspice شده از / ۰۲ برابر ۸ /۳۵ μm شده متوسط قدر مطلق خطا در فن آوري  از دقت کافي بر /۰۷μm درصد است. اين مدل تا فن آوري خوردار است و بنابر اين در مقياس هاي پايين نيز جواب گو است.