اين مقاله به معرفي مدار هاي سوئيچ خازني پرداخته است كه بر اساس كليد ها و خازن هايي كه در تكنولوژي CMOS و بوسيله ترانزيستورهاي Mosfet (اثر ميداني فلز – اكسيد- سيكلين) ساخته مي شوند، عمل مي كنند . مقاومتي كه از كليد و خازن مدل مي شود مي تواند مقادير بسيار بزرگي داشته باشد . كه از اين مدل مي توان در طراح ي مدارات مجتمع (IC) استفاده كرد . چون بزرگترين مقاومت واقعي كه مي توان در داخل مدارات مجتمع قرار داد 50k مي باشد، با اين روش مي توان مقاومتهاي بسيار بزرگتر با تلرانس كمتر را مدل كرد.
سيده آيدا صادقزاده
دانشگاه آزاد اسلامي واحد تبريز