کتاب تئوری و طراحی IGBT (زبان اصلی)

Insulated Gate Bipolar Transistor که به اختصار IGBT نوشته می شود به فارسی ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده ترجمه می شود و نام یک قطعه نیمه هادی الکترونیک قدرت است که از آن به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی با راندمان ، سرعت بالا و یک طرفه استفاده می شود که در کاربرد هایی مانند ماشین های الکتریکی ، بالاست های لامپ ، دستگاه های تهویه هوا ، تقویت کننده های سوئیچینگ و … استفاده می شود .

این قطعات از ترکیب دو ترانزیستور MOSFET و Power BJT درست شده که از MOSFET برای درایو گیت BJT استفاده شده است . مزیت ترانزیستور های دو قطبی قدرت نسبت به MOSFET ها افت ولتاژ بسیار کم دو سر ترانزیستور در حالت اشباع است و مزیت MOSFET ها نسبت به BJT ها ، جریان ورودی بسیار کم و ناچیز است که از ترکیب این دو قطعه با یکدیگر ، IGBT ساخته شده است .

مشکل اصلی IGBT ها محدودیت فرکانس کاری است که حداکثر تا فرکانس 50 کیلوهرتز کار می کنند و نمی توان از آن ها در فرایند کلید زنی فرکانس بالا استفاده نمود . کتاب پیش رو منبع مناسبی برای آشنایی با چنین قطعات قدرتمندی است که می توانید آن را از این سایت دانلود نمایید .

نام انگلیسی : IGBT Theory and Design
نویسنده : Vinod Kumar Khanna