مقاله کاربردی آشنایی با ساختار Power MOSFET (زبان اصلی)

با پیشرفت تکنولوژی و تولید قطعات الکترونیکی قدرت مانند Power MOSFET ، GTO ، Power BTJ ، Thyristor و … بسیاری از تولید کننده های مدارات الکترونیکی به سوی الکترونیک قدرت روی آوردند که شامل مدارات کنترل و تغذیه الکترونیکی با ولتاژ ها و جریان های بسیار بالا می شود . از کاربرد های الکترونیک قدرت می توان به منابع تغذیه DC و AC ، کنترل کننده های موتور و ماشین های الکتریکی ، رله های حالت جامد و اتوماسیون خودرو اشاره کرد . در تمامی کاربرد های ذکر شده از المان های قدرت به عنوان عنصر سوئیچ استفاده می شود که به واسطه یک مدار راه انداز و درایور به یک مدار کنترل دیجیتال یا آنالوگ متصل می شود .

یکی از معروف ترین این قطعات که امروزه در رنج بسیار وسیعی از آن استفاده می شود ، ترانزیستور های MOSFET قدرت است که می تواند برخلاف MOSFET های معمولی که برای تقویت سیگنال و مدارات دیجیتال استفاده می شود ، تحت ولتاژ ها و جریان های بسیار بالا فعالیت کند . این قطعات پایه و اساس بسیاری از مدارات قدرت مانند منابع تغذیه سوئیچینگ و کنترل های موتور است . گرچه MOSFET ها از لحاظ حداکثر توان قابل تحمل و افت ولتاژ دو سر سوئیچ نسبت به برخی قطعات الکترونیک قدرت ضعیف تر هستند اما نسبت به سایر قطعات از فرکانس کاری بسیار بالاتری برخوردارند . برای مثال یک IGBT و یا یک BJT قدرت می تواند تا فرکانس های کمتر از 100 کیلوهرتز را سوئیچ کنند اما Power Mos ها توان سوئیچ در فرکانس بالای 1 مگا هرتز را نیز دارا می باشند .

یکی از مهم ترین مشکلات متخصصین برق و الکترونیک عدم آشنایی دقیق با ساختار ماسفت های قدرت است که حتی بسیاری به اشتباه ساختار آن را با ماسفت های معمولی یکی می دانند و این اشتباه زمانی دردسر ساز می شود که متخصص قصد دارد مدار راه انداز و درایور برای چنین قطعاتی طراحی نماید . برای همین شرکت های بزرگ تولید کننده نیمه هادی قدرت اقدام به انتشار مقالات کاربردی در جهت آشنایی متخصصان با ساختار این ترانزیستور ها و نحوه درایو گیت آن ها کرده اند .

ضمیمه این متن ، دو مقاله کاربردی برای شناخت ترانزیستور های Power MOS است که توسط دو شرکت بزرگ International Rectifire و Advanced Power Tech منتشر شده که می توانید در قالب یک فایل Zip دانلود نمایید .