مدلسازي مشخصه ي جريان-ولتاژ در ترانزيستورهاي SOI-MOSFET توسط شبكههاي عصبي

دراين مقاله روش مدلسازي مشخصهي I-Vبراي SOI-MOSFETها توسط شبكه عصبي ارائه مي شود.اين مدلسازي سريع و دقيق است و براي نرم افزارهاي شبيه سازي مدارها مناسب ميباشد. در اين روش، دو معماري از شبكه عصبي بكار گرفته شده و با هم مقايسه خواهند شد كه عبارتند از:) (MLPيا پرسپترون چند لايه و) (GRBFيا تابع شعاع مدار تعميم يافته. براي افزايش كارايي آموزش به شبكهي عصبي از يك شيوهي پيمانهاي استفاده شده است. مشخصهي جريان درين حاصل از مدل شبكهي عصبي با نتايج تجربي مقايسه شده است؛ كه تطبيق بسيار خوبي را نشان مي دهد و خطاي نسبي آن براي طيف وسيعي ازطول كانالها، ولتاژ هاي درين و گيت كمتر از  كمتر از %1/1است