در خوانـدن حافظـه هـاي SRAMكـاهش تـوان مصرفي با كاهش ولتاژ تغذيه، باعث وابستگي تقويـت كننـده در انتقال دهنده هاي جرياني به اطلاعات ورودي ميشود].[۱
اين وابستگي سبب بـروز خطـا در خوانـدن محتـواي حافظـه ميگردد. در اين مقاله يك تقويت كننده مد جريـاني بـا ولتـاژ تغذيــه ۱/۵ولــت درتكنولــوژي ۰/۳۵ µmبــراي خوانــدن حافظههاي SRAMتوان و ولتاژ پايين پيشنهاد و شبيه سـازي ميشود. براي نـشان دادن افـزايش سـرعت خوانـدن، كـاهش ولتاژتغذيه و كاهش توان مصرفي اين مدار نسبت به مدارهاي مشابه قبلي، شبيه سازي اين مدار با تكنولوژيهاي ۰/۳۵ µmو ۰/۵ µmنرم افزار Hspice
