اين مقاله حساسيت بهره نسبت به ولتاژ و دما در مني آشكارسازهاي نوري به InGaAs/Si (APDs)1تحليل، شبيه سازي و روابط حساسيت نيز استخراج شده است. براي ساختن چنين APDهايي در بازه بزرگي از طول موج، از نامرئی ، ١/٦٥μmتركيبي از InGaAsو سيليكون ) InGa As به عنوان لايه جاذب و Siبه عنوان لايه تكثير كننده نويز پایین ( مطلوب است. آشكارسازهاي InGaAs/Siبه دليل جالب داشتن مشخصات )بهره بالا و نويز پايين ( در سيتمهاي نرخ با ارتباطات نوري بيت بالا مورد استفاده قرار ميگيرند، اما APDهاي InGaAs/InPداراي نويز زيادي هستند. اين مقاله برتري Siنسبت به InPدر حساسيت بهره به ولتاژ ما اعمالي و د را نشان مي دهد
