در اين مقاله، با تغيير ساختار به عنوان يكي از رايجترين ساختارها در طراحي تقويتكننده عملياتي بكار ميرود، راهحل جديد براي افزايش ضريب تقويت (گين) ولتاژ آن ارايه ميشود. در اين مدار، بر خلاف روشي كه از سوپر كسكود براي بالا بردن مقاومت خروجي و به تبع آن گين استفاده ميشود، افزايش پيدا ميكند؛ لذا مشكل ( Gm) هدايت انتقالي كل مدار 3 از بين ميرود. براي دستيابي به dB محدود شدن پهناي باند اين خواسته ، تنها نياز به مصرف توان كمي است تا بتوان ترانزيستوري را كه در ساختار معمول بعنوان منبع جريان عمل ميكند، به تقويتكننده سورس مشترك تبديل نمود
