طراحی و ساخت یک درایور IGBT با مدار محافظ

چكيده :
راه انداز هاي گيت در مبدلهاي قدرت نوين كه از عنصر قدرت IGBT استفاده مي كنند ، بايد چندين عملكرد اساسي همچون ايزولاسيون الكتريكي ، تقويت جريان و حفاظت در برابر اضافه جريان و ولتاژ را به اجرا بگذارند . مقاله حاضر يك نمونه از چنين راه اندازهايي را توصيف مي كند كه تماماً توسط ادوات SMD ساخته شده و براي IGBT هاي قدرت متوسط يا زياد مناسب است . اين راه انداز شامل منبع تغذيه سوئيچينگ ايزوله ، مدارهاي بافر ، برخي توابع حفاظتي و همچنين حفاظت در برابر اتصال كوتاه  IGBT است . مدار توانائي اعمال جريان تا اوج 6 آمپر با تدوام %50 با اعمال سيگنال ورودي در سطح  TTLرا دارد .

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *